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英飞凌IGBT光伏逆变器应用选型(2)
分立IGBT：
600V 高频型IGBT4：型号后缀为‘H3’的硬开关频率fK≤150KHz
600V 低饱和压降型IGBT3：硬开关频率fK≤50KHz
1200V 低饱和压降型IGBT4：硬开关频率fK≤50KHz
◇最大工作结温Tjmax=175℃，采用沟槽栅+电场终止层（Field stop）IGBT 工艺技术，参数离散性小，易于批量生产
◇开关速度快，高频特性好，低饱和压降，且正温度系数易于并联，具有类MOSFET 特性，可替代许多MOSFET 应用领域
◇拖尾电流小且随温度增加不明显增加，高温特性优异，无锁定效应，过载能力强，可靠性高
◇内置反并联二极管为英飞凌专利技术超软、快恢复（Emcon）高效二极管
分立MOSFET CoolMOSTM：
C3 系列：◇比标准MOS 开关速度更快 ◇RDS（on）低 ◇上升下降时间对称 ◇内部Rg 低，输入输出电容低 ◇雪崩耐量高
CP&C6 系列：◇极快开关速度 ◇超低RDS（on） ◇超低栅电荷、驱动功耗低 ◇最低的品质因子FOM=RDS（on）×Qg
CFD&E6 系列：◇快速体二极管 ◇Qrr 是“C3”系列的十分之一 ◇体二极管反向恢复能力大大提高
Easy750、Easy 1B、Easy2B 封装H 桥、三相桥、三电平IGBT 模块：
◇Infineon 600V/650V IGBT3 芯片，具有最低导通&开关损耗，Tjmax=175℃
◇Easy 封装无基板设计，结构紧凑，DCB 衬底覆铜，保证良好的热特性和绝缘性能
◇铆接方式的管脚连接，很低的接触电阻；管脚（针）可在一定范围内上下移动而能保证其性能，抗震性强
◇采用弹性钢夹具固定模块至散热器上，使用中塑料框架等诸多形变下弹片能自动调整形变，保持IGBT 模块对散热器的压力恒定
EconoPACKTM4 封装三电平IGBT 模块：
◇三电平IGBT 模块能达到更高的效率
◇EconoPACK4 封装兼容Econo2/3 的高度（17mm）
◇低电感封装，易于并联设计，功率端子为螺栓安装
◇控制端子采用压接技术（PressFIT）
EconoDUALTM3 封装IGBT 模块：
◇Infineon 1200V IGBT4 芯片，低饱和压降，Tjmax=175℃；同等条件应用，其输出电流能力比IGBT3 提高20%，功率循环周次提高5 倍
◇17mm 高度，输入输出主端子分别在模块两端封装，为主电路减少布线电感的结构设计带来了方便，易于并联
◇内部芯片均匀布置，封装电感低，散热与可靠性提高
◇驱动电路和吸收电路可直接布置在IGBT 模块上，抗EMI 的能力进一步提高
◇内置NTC 温度传感器，检测温度快而准确，高可靠封装，高抗震性
PrimePACKTM 封装IGBT 模块
◇采用Infineon IGBT4 芯片
◇汽车级IGBT 高可靠，高性价比
◇狭长型设计，模块内部采用叠层母排和外部功率端子正负交叉的设计，达到极低的主电路寄生电感，易于并联
◇模块内部的芯片均匀排列，且靠近安装螺栓，极大地降低了RthCH
IHM & IHV IGBT 模块
◇牵引级IGBT 模块
◇电压具有1200V、1700V、3300V、6500V 四个等级；电流从200A 到3600A
◇有铜基板和碳化硅铝（AlSiC）基版可供选择；氮化铝（AlN）陶瓷密封，高可靠
〖CONCEPT〗中大功率IGBT 驱动器：
文章来源：http://www.igbt8.com/bl/298.html
型号 基本参数
2SC0108T2A0-17 通用驱动器：2*1W;±8A ; IGBT≤ 600A/1700V
2SC0435T2A0-17 通用驱动器：2*4W;±35A;IGBT≤3600A/1700V
2SP0115T2A0- XXX EconoDUAL3 IGBT 专用驱动器：2*1W;±15A;IGBT≤ 600A/1700V
2SP0320T/V2A0- XXX PrimePACKTM IGBT 专用驱动器：2*3W;±20A;IGBT≤2000A/1700V
◇瑞士CONCEPT 公司，先进的SCALE2 技术
◇紧凑、小型化即插即用型，高可靠
◇具有短路保护功能；高级有源钳位功能
◇具有供电电源监测和器件自检功能
◇内部自带有DC/DC 电源变换器
◇具有隔离的电气接口及光信号接口两种
◇驱动器可直接并联
◇晶川电子可提供其它通用型驱动器及其外围接口版，使用户设计更便捷