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Transphrom氮化镓FET

电源的发展必然需要小体积高效率产品,提高工作频率是必然趋式功率密度上看GaN, SiC占优势。
􀂃传统硅材料在电源转换上应用发展几十年了,现已到达它的物理极限,发展空间有限。
􀂃氮化镓材料最早是从LED及RF方面进行人们的视线,现在发展进入功率器件应用领域。适合高频高压。
􀂃氮化镓GaN将提供高性能,低成本的方案。因氮化镓基于硅衬底,将来8,12英寸的晶元将大大降低使用成本。

Transphrom氮化镓FET(HEMT)产品信息如下,欢迎联系上海菱端电子科技有限公司产品咨询及技术支持。

Transphrom,氮化镓FET
 氮化镓、碳化硅、硅器件性能对比

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