IGBT模块_IPM主电路设计关键技术(2)

2. 元件参数选取
a.缓冲电容Cs选取
缓冲电路中缓冲电容Cs的电容取值为：
其中，L是主电路的寄生电感，Io为IGBT关断时的集电极电流，VCEP是缓冲电容器电压最终到达值，Ed为直流电源电压。 b.缓冲电阻Rs的取值
缓冲电阻的作用是在IGBI下一次关断前，将缓冲电容器电荷释放。因此在IGBT进行下一次动作之前，在储存电荷的90%放电条件下，缓冲电阻取值公式应满足下列公式： 其中，f为交换频率。 主电路安装与布局

由于IGBT开关频率非常快，同时功率也很高，由IGBT模块构成的逆变器会对其他部件产生很强的干扰。这些干扰不仅影响电路的正常工作，甚至有可能会使逆变器因为瞬时短路而损坏。因此，应对电磁干扰给予足够的重视，而合理的安装与布局能够减少电磁干扰。文章来源：http://www.igbt8.com/il/163.html
常见的干扰及相应的措施有：
(1)隔离供电抑制IGBT开关干扰由于供电变压器的分布电容和耦合电感的影响，当其中一个IGBT导通或关断时产生的强尖峰脉冲会通过分布电容(电感)干扰其它IGBT的正常工作。因此，全桥逆变器的每一个触发电路必须隔离供电来抑制这种干扰。
(2)由于逆变器的平均工作电流和瞬时峰值电流很大，逆变电路中的漏电感，甚至很小的引线电感也不能忽略。如果不仔细设计PCB的布局，这些磁通会穿过闭合的PCB导线而形成电流。为此，可采取以下措施抑制干扰：
a，每一个IGBT的触发电路元件应集中在一个狭窄的区域，避免互相交叉；
b，同一相位的触发电路应相邻，而两组之间距离应相对较远；
c，PCB与IGBT之间的引线应尽可能短并互相绞合。