Vs是(配线电感)×-dic/dt、Ds的正向恢复电压以及(Cs的分布电感)×-dic/dt的总和。
下述要点可以使缓冲电路更有效。
● 以更低的-dic/dt为驱动条件驱动IGBT。(降低IGBT的关断速度)
● 减小主电路配线的电感。为此设法将电源(电解)电容器放在尽可能靠近IGBT模块的位置,使用铜板配线,实施分层布置等。
● 缓冲电路也应放在模块的附近,Cs应采用薄膜电容器等频率特性好的元件。
● Ds使用正向导通压降小,反向软恢复型超快速二极管。
实际缓冲电路:
各相缓冲电路范例
缓冲电容器容量的指标
上一页的缓冲电路1由于省略了阻尼电阻,电源电线容易受振动噪声干扰,因此适用于较小容量的应用。将缓冲电路1至3按用途分类的话,各相的缓冲电容器容量的标准分别如下。每个IGBT的缓冲电路的容量是该数值的1/2。