三菱CM450DX-24S1与英飞凌FF450R12ME4比对(2)

2.开关特性对比

	CM450DX-24S1	CM450DX-24S	FF450R12ME4	备注
Cres/ Cies	0.75nF(MAX)/ 45nF(MAX)	0.75nF(MAX)/ 45nF(MAX)	1.55nF(TYP)/ 28nF(TYP)	FF450R12ME4的密勒电容及 与输入电容的比值最大， 容易形成集电极dv/dt反馈造成寄生 导通，Cres/Cies应该越小越好
QG	953nC	1050nC	3.3uC	FF450R12ME4需要的门极驱动 电荷最多，驱动电流及功耗最高
Eon	35.8mJ	54.9mJ	28.5mJ	CM450DX-24S开通损耗最高
Eoff	52.4mJ	48.0mJ	61.5mJ	FF450R12ME4关断损耗最高
Err	27.9mJ	32.4mJ	55mJ	FF450R12ME4二极管 反向恢复损耗最高
Rth(j-c) IGBT	54K/KW	44K/KW	66K/KW	FF450R12ME4 IGBT结到壳热阻 最大，结壳温差大，不利于散热
Rth(j-c) Diode	86K/KW	78K/KW	100K/KW	FF450R12ME4 二极管结到壳热阻 最大，结壳温差大，不利于散热

450A/1200V产品开关特性对比如下图：
6.1th：CM450DX-24S1，6th： CM450DX-24S，竞争对手A： FF450R12ME4 由上图曲线可看出CM450DX-24S1的通态损耗、反向恢复损耗最低，关断损耗介于两者之间。
450A/1200V产品开关波形对比(CM450DX-24S vs CM450DX-24S1)
测试条件: Vcc = 600V, Ic = 450A, VGE = +15/-15V, RG = 0ohm, Tj = 150℃  450A/1200V产品二极管反向恢复波形对比见下图 (6th vs 6.1th)：
测试条件: Vcc = 600V, Ic = 450A, VGE = +15/-15V, RG = 0ohm, Tj = 150℃ 450A/1200V IGBT模块功率损耗及结温对比见下图：
6.1th：CM450DX-24S1，6th： CM450DX-24S，竞争对手A： FF450R12ME4
Vcc=600V, Io=225Ap, fc=5kHz, P.F=0.8, M=1.0, fo=60Hz, Tjmax=125℃, Ts=90℃ 由上图可以得出三菱6.1代CM450DX-24S1的整体损耗最低。
综上，CM450DX-24S1相对于其他两种，综合性能最优，在现有的系统中无需对结构进行调整即可与其他型号进行替换使用。