正确理解IGBT模块规格书参数(3)

四、二极管参数
1. 阻断电压(VRRM) 类似于VCES at Tj 25℃
2. 额定电流(IF) 3. 脉冲电流(ICRM) 4. 抗浪涌能力(I²t) 这个值定义了二极管的抗浪涌电流的能力，用于选择输入熔断器。熔断器数值应该小于二极管的I2t值，熔断器的熔断速度应该小于10ms，否则应该选择I2t值更大的二极管。我们在125 ℃定义I2t值，在25 ℃下它会大得多，通过I2t值可判断二极管容流能力。文章来源：http://www.igbt8.com/jc/156.html
5. 正向压降(VF)
类似于VCEsat 的定义, 给出了Tj=25℃ 和125℃时的值, 用来计算二极管的导通损耗和普通的二极管不同，一些英飞凌二极管在电流大于一定数值区域显现电压正温度系数， 这有利于二极管均流。 6. 开关参数(IRM, Qr, Erec) 二极管反向恢复受IGBT的开通di/dt, IC, Tj 等因素影响很大Irm 和Qr 仅为测试典型值, Erec 用来计算二极管的开关损耗 7. 二极管SOA
高压模块定义了二极管的安全工作区(SOA)，不仅是峰值电流和电压，还包括峰值功率。瞬时峰值功率一定不能超过安全工作区曲线限定的最大值。 五、热学参数
1. 热阻 2. 每个IGBT的Rth 3. 每个二极管Rth 4. 模块Rth 可以看出内部各器件的热阻之间是并联关系，如果给出每个模块的热阻RthCH, 我们可以计算每个IGBT和二极管的热阻： 5. 瞬态热阻抗(ZthJC)
瞬态热阻抗用来计算瞬时结温Tj，如果IGBT模块有短时的开关动作，则需要用瞬态热阻抗计算其温度分布。
我们把芯片的瞬态热阻抗模型分为四个部分，每部分用一个表达式表示。四部分的系数在规格书中列出。 6. 绝缘测试
除了工业应用的1200V模块，其余所有IGBT模块都通了IEC1287标准的绝缘测试， 1200V模块符合VDE0160/EN50178标准。绝缘测试对模块来说是十分严峻的考验，以上标准规定：如果客户重复绝缘测试，绝缘耐压应降为原耐压值的85%。 高压模块应用基于IEC1287标准的局部放电测试。这确保模块的长期可靠性。
7. 内部分布电感 LsCE 是指模块功率端子间的内部分布电感，不同拓扑结构内部寄生电感的定义如下图： 8. 引线电阻(RCC’+EE’) 这个值是功率端子和芯片间连接引线的阻值，是一个桥臂在Tc = 25℃时的典型值，大功率IGBT模块工作时，该电阻上也会产生相应的功耗，并产生一定的压降。