英飞凌第4代IGBT芯片技术(2)

􀂄 关断过程对比：T4的波形比T3的平滑一些

测试条件：Ls=200nH（极大），Ic=150A（Ic,nom=300A），Vdc=400V/450V/500V，Tj=25°C

IGBT4（1200V）：中功率E4

􀂄 关断过程对比：E4的波形比E3平滑一些

测试条件：Ic=Ic,nom=450A，Vdc=800V/900V（仅供测试），Tj=25°C
IGBT4（1200V）：大功率P4
􀂄 关断过程对比：P4（及EmCon4）呈现明显的“软”特性

IGBT4（1700V）：大功率P4
􀂄 关断过程：对比IGBT3（E3），P4呈现明显的“软”特性

􀂄 关断过程：对比IGBT2（KF6C），P4呈现较“软”特性，且关断能耗较小

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