英飞凌功率半导体芯片及模块封装新技术

最新芯片技术
沟槽(Trench)与电场终止层(Field  stop)技术
作为世界领先的功率半导体生产商, 英飞凌产品采用沟槽(trench)与电场终止层(Field stop)的IGBT工艺技术，具有参数离散 性小、便于批量生产、使用可靠性高及高温性能稳定等优异特性，具有最优的性能价格比。
第四代芯片(IGBT4技术)
功率循环周次提高5倍，散热器体积缩小30%。 
 
IGBT4芯片技术特点：
¢     优化了IGBT开关特性，降低了约30%的开关损耗
¢     提高芯片的电流密度，进一步提高IGBT模块的功率密度
¢     芯片最高温度为175 ˚ C，最大工作结温为150 ˚ C，比IGBT3提升25 ˚ C
¢       在相同开关频率的情况下，IGBT4的输出电流能力比IGBT3提高20%
最新IGBT模块封装技术
预涂导热材料(TIM)技术 
¢     降低管壳对散热器热阻R thch 
¢     材料长期稳定性好
¢     导热界面材料(TIM)用钢网印刷
¢     精确设计，精准工艺，一致性好
¢     为高功率密度设计保驾护航  PressFIT压接免焊技术:
技术特点:
¢     PressFIT(压接)新技术，IGBT模块安装时间降低了12倍，IGBT模块的失效率相比焊接技术降低了100倍
¢     四步轻松安装IGBT模块(可以提供安装所需的资料以及技术支持) 

第一步：
首先把模具调 整好，上下部 分正对

第二步：
通过模具上的 定 位 销 ， 把 PCB板安放到 模具上

第三步：
通过模具上的 定位销，把模 块安放到PCB 上面(管脚正对 PCB孔)

第四步：
顶部的模具垂 直下压，把模 块管脚压接到 PCB