功率二极管1-构造-标记-基本特性

大多数情况下，二极管与MOSFET、双极晶体管、还有IGBT一起使用。在此，将此类器件总称为晶体管。

耐压200V的二极管的性质

请注意，在此所述的二极管特性消失，可能有对二极管造成永久破坏的危险。原则上，对于施加在二极管上的反向电压，即使是一瞬间也不可以超过规定的反向耐压。

下图是MOSFET 的截面图。PN 连接使得MOSFET的漏极-源极间有耐压。不施加门极偏压时，MOSFET的漏极相当于二极管的阳极，源极相当于二极管的阴极。（N通道MOSFET的情况下）另外，PN连接还承担双极晶体管和IGBT的电压阻止（关闭）任务。也就是说，理解二极管的逆特性有助于理解这些功率半导体的关闭特性。

一般整流二极管和高速二极管

通常所述的二极管主要是指用于50Hz和60Hz电源整流用的一般整流二极管。但是，目前使用较多的是FRD(高速恢复二极管)和SBD（肖特基势垒二极管，有时简称为肖特基）等高速二极管。例如台式个人电脑的ATX电源中仅使用了一个一般整流二极管（AC-DC转换用的桥路二极管），另外使用了十四个FRD和两个SBD。这是由于只有AC-DC转换电路的工作频率为50/60Hz，其它的电路的工作频率都在数10kHz以上的缘故。并且，使用电池驱动的设备的低电压电源周围也多使用SBD。