功率二极管8-功率半导体的损坏方法

如果在功率半导体中流动过大的电流，或施加过大的反向电压，会发生什么现象呢？硅芯片熔化的温度约为1400℃，因此如果芯片温度超过该温度的话，务必会发生短路。一般可以把“损坏”分为以下几种类型。

①好像没有发生任何问题一样继续工作。

*硅芯片虽然不熔化，固定芯片的焊锡熔化后重新凝固。

*由于硅和铜框架之间的热膨胀系数不同，温度上升时硅材料上会发生龟裂（产生裂缝）。其结果是导致反向耐压性能恶化。

这种现象即使在未到达硅的熔融温度时也会发生。这是最麻烦的损坏形式。随时都有完全不工作的可能性，因此请务必更换为新的器件。如果仔细实施了热设计，让器件在额定温度内工作的话，则不会发生这种故障。

而且，这样的损坏形式无法使用测试仪检测。（因为测试仪的电源电压较低，只有1.5至3V）

②发生断路

不论硅处于工作状态还是破坏状态，可以考虑为连接线烧断的状态。一般来说，断路故障是较容易处理的故障，但很少发生此类故障。这是由于如前面所述，在功率半导体中除硅以外部分的电阻相对较小，因此不会使用容易烧断的连接线。

③发生短路

基本发生这种故障。

④发生爆炸

如果施加相对于破坏值限度的数倍的能量，有时会发生爆炸而炸碎塑料封装。这是功率半导体特有的损坏形式。损坏时的能量如果过大，需要采取措施加以限制。

另外，塑料封装不会发生着火燃烧的现象。这是因为所使用的树脂是难燃性或自我熄火性材料的缘故。

上海菱端电子科技有限公司：

   联系人：夏小姐
   服务热线：021-58979561
   业务咨询qq：447495955
   业务咨询qq：1852433657
   业务咨询qq：513845646
   技术支持qq：313548578
   技术交流群：376450741
   业务咨询:

业务咨询:

技术支持:

媒体合作: