电压可能会和同晶体管内部的电容产生震荡,请参阅第五章。IGBT 模块的内部电容和电阻对模块开关特性的影响可以用下面说明来定性:在IGBT 被关断时,电容CGC 很小,约等于电容CCE。在导通状态时,一旦栅极-发射极的电压超过集电极-发射极的电压,在栅极下的增强层扩大,电容CGC 将快速增大。
然而,这些参数只能有限制的被用来计算IGBT 的开关特性。例如,在晶体管开通的状态下(VCE < VGE)输入和反馈电容增加很大。所以,在数据文件中给出了栅极电量曲线,它可以用来近似计算开关时间和栅极需求。见图2.4.7.。更深的解释请参考第3.3.3章节。
IGBT 的开关特性可以被看成只有感性电阻负载的硬性开通和关断。也就是说,负载的时间常数L/R 远比开关的周期1/f 要大。图2.4.6a)描述了集电极电流和集电极-发射极电压同栅极控制电压VGE 的关系。图2.4.6b)描述了在硬性开通和关断时,工作点的移动,ic = f(vCE)。 因为功率MOSFET同IGBT 在这点上只有很小偏差,所以图2.4.6b)是这两种元器件的解释图,关于MOSFET 的特殊性将在第2.4.3.2 章论述。
硬性开关的特点就是,在开通或关断很短的时间内,晶体管的电流和电压升高,因为在负载回路中,续流二极管阻止了因为电感而产生的电流突变。
- 在晶体管开通时,续流二极管只有在负载电流完全地换流到晶体管后,才能开
始承受截止电压(关断)。因此,集电极电流必须先达到负载电流的幅度,然
后才是集电极-发射极电压降落到通态压降值。
- 在晶体管关断时,续流二极管只有在它的极性为正扁后,才开始接续负载电流
(开通)。这一条件的出现要求在集电极-发射极电压先达到换流电压的水平,
然后才是集电极电流降到剩余电流值。同所有晶闸管不同,晶体管在运行时,原则上不需要被动的缓冲网络,因为在开关过程中,在晶体管内漂移区能形成一个动态截止层。
在晶体管内产生的功耗为:
通过被动的缓冲网络(现在很少使用 )能使工作点紧靠坐标轴。开关损耗被从晶体管转移到缓冲电路,大部分整体效率会下降。除了受电流和电压以及开关时间限制外,晶体管的工作点移动还受到其他各种(非理想性的)因素的影响。所以,在数据文件中给出了适用于不同运行状态下安全运行区域(SOA),见第3.3.4 章。
除了晶体管和二极管的非理想性特性的影响,电流回路中一些被动元器件也会对功耗和工作点的移动造成很大影响。 这在后面的第五章中讨论。
如图2.4.6 所示,在IGBT 开通后的数十纳秒内,集电极-发射极电压会迅速下降到某一数值,该数值对应了n-区的电压降。最后n-区充满了p 集电极的正载流子。经过几百纳秒到几微秒IGBT 的动态饱和电压VCE(sat)dyn 降到通态压降值VCE(sat)。
开通:0 到t1 时间段 (晶体管截止状态)
随着开通栅极电压,栅极电流iG开始流动。在达到电荷量QG1 之前,电流iG对栅极电容CGE 充电,栅极-发射极电压VGE 按照一个时间常数 上升,这个时间常数时由IGBT 的输入电容和栅极控制回路的电阻决定的。因为电压VGE 小于门限电压VGE(th),所以在这个时间段没有集电极电流。
开通:t1 到t2 时间段 (集电极电流上升)
在达到门限电压VGE(th) (t1)后,集电极电流开始上升,同样,IGBT 的电压VGE 也上升,因为在主动工作区中,它同电流和电流上升率的关系为IC = gfs · VGE。这种状态一直到t2 时刻,VGE1 = IC/gfs (时刻 t2)。因为直到t2 时刻续流二极管才关闭,所以在t2 时刻以前,VCE 不会降到额定值。在t2 时刻在基极的存储的电量为电量QG2。IGBT 所产生的大部分损耗出现在这个时间段中,因为当电流iC 小于负载电流IL
时,必须有一部分电流流过续流二极管,而这时的集电极-发射极电压vCE 还没有在驱动电压VCC 的条件下,下降到额定值。图2.4.6 给出了电压VCC 和VCE 偏差,这个偏差主要是由IGBT 和换流回路中的寄生电感上的压差所引起的。