IGBT 的重要设计

NPT-设计（非穿透型设计）

在稍后的时间，很多制造商开始采用了非穿透型设计生产（NPT）IGBT。它的基板是很薄掺杂浓度很低的n-硅片，采用移植技术，在背面形成集电极p+区。n-漂移区做的很宽，以致在最高许可耐压时，电场在n-漂移区被完全消弱到零。相对PT 设计，电场不会穿透n-漂移区。NPT-IGBT 模块有一个很薄的集电极p+发射区，使pnp 晶体管达到一个较低的发射效率(gE = 0.5)。通过降低载流子寿命来降低基极传输系数对NPT-IGBT 是不必要的。空穴电流站全部电流的20%到25%。NPT-IGBT 的饱和电压同PT-IGBT 正相反，同温度成正比。这提高了芯片中的单元之间和并联的芯片之间的电流分布平衡。作为硬性开关，它的关时间相对要小，而且受温度的影响要低，通过内部电流限制可以很好的切断过载电流。现在赛米控（SEMIKRON）公司在老的NPT-IGBT 基础上生产新一代IGBT2。