为了使超级注入式的技术在低电压区域也能使用,必须在技术上进行改进,使其相对高电压元器件更简单和低廉。这类产品有,例如Infineon 公司生产的耐压在300V 的OptiMOSFET。它不是通过外延生长步骤来形成p 型柱,而是OptiMOS 晶体管含有绝缘的场强板。它是通过蚀刻到半导体内部n-漂移区并用氧化硅进行绝缘。它同源极区和多晶硅的栅极相连接
图 2.4.24 给出了引入绝缘的场强板和传统的截止pn 结的补偿效果图和电场图。在场强板的p 电荷中和了n-区的掺杂浓度,如上面解释过的,所以它的掺杂浓度可以提高。
在截止状态电场改变了它的形式,几乎变成一个四方形,所以可以减小n-漂移区的厚度。拥有尽可能高的掺杂浓度并尽可能薄的n-漂移区,所以它就拥有上面讲述的超级注入型MOSFET 的所有优势。