IGBT低电感内部结构

由于这些寄生电感在关断电源时产生感应过电压，在开通时减缓控制和换流回路的电流流动，直接影响了电源模块的使用。它也可能会导致模块内部并联芯片的动态负载失衡和产生芯片和芯片之间的振荡。在第5.4 章节将更详细地讨论它对电气性能的影响。

减少内部感应电感的措施是平行的直流正负极端口和负载端口
平行的导电片产生的磁耦合构成了主要感应电感LσC 和LσE2。在直流+ DC 和-DC 电路中所产生的电磁场变化不大，所以带来很小的感应电感。很多连接芯片外端口的平行导线会减小端口的电感效应。感应电感的主要部分产生在向外连接的连线中，因为在这里为了方便外部的连接，不得不放弃平行导线的形式。图2.5.26 给出了在开关过程中，在芯片不同位置的电压曲线。内部电压差达到 150 V，从测量电流的上升率可以得出， 从正极+DC 到负极-DC 产生一个 20 nH 感应电感。同时也可以看出，在芯片中的不同位置带来的电压差异不大，这就证明了平行式的导线结构带来极低电感。