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二极管和晶闸管模块

极限值,额定值
大部分的数据文件只给出分立二极管和晶闸管的参数。对于模块包含一个晶闸管和二极管,往往只给出了通态压降和晶闸管允许的电流,因为一般二极管承受能力更好。此外,还给出:
隔离电压VISO
VISO 是50 赫兹交流电的有效值,100%的模块都进行了测试。测试周期时间为1 分钟。在1 秒的测试期间,测试电压提高20%。我们观测在交流电压下,会有一个流过绝缘子的电流,这个电流往往被误认为是漏电流。当加直流电压测量时,测不到这个电流。
热阻Rth(j-c)
它是从芯片到外壳的热阻,它是以不同的电流波形(cont 为直流,sin.180°为正弦半波电流和rec.120°为具有120°导角的矩形电流)给出的,它可以被视为整个模块或一个单一芯片的热阻。
热阻Rth(c – s)
它是从壳体到冷却器的热阻,同样也被指定为模块和芯片的热阻。它常常用于计算导热膏的厚度。
3.2.6.2 曲线图
电流的功耗和环境温度的关系,以及涉及到结层热电阻和壳体到散热器之间的热阻,可以在双图中给出:
1 / 2 模块(单芯片),在不同的电流波形,功率损耗 PTAV 作为正向电流平均值ITAV 的函数给出。
1模块,总功耗 PVtot 作为正向电流有效值IRMS 的函数给出。
2 模块是在双脉冲桥电路(B2),在电阻R 和电感L 的全控制时,总功耗PVtot 作为直流电流ID的函数给出。
3 模块是六脉桥电路(B6)和三相双向控制元件(W3),总功率PVtot 作为整流电流ID以及工作电流(有效值)IRMS 的函数给出。
在1,2 和3 个模块的图表是:左边是功耗PVtot 而右边是壳体温度Tc。它同样适用于分立的二极管和晶闸管。

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