IGBT的额定值

集电极-发射极饱和电压的VCE（sat）

它是在一定的集电极电流IC（大部分是ICnom）时，集电极-发射极电压的饱和值（IGBT 模块的通态压降）。相关参数：集电极电流IC，栅极-发射极电压VGE，芯片温度，如温度Tj =25°C/150°C。

赛米控公司生产的IGBT 模块在稳定范围内，它的VCE（SAT）随着温度上升而增高。在新的数据文件中，VCE（sat）往往以芯片的饱和电压给出（见“细则”的说明）。在计算

模块主要端口的饱和电压时，可以看成是模块内部（连接线，端口，...）线路的电阻RCC’+EE’ （根据模块额定值）上的压降。但当计算芯片的功耗时，不能这么理解。门限电压VCE0和不同的近似正向导通特性的等效电阻rCE为了计算导通功耗，在数据文件表中给出了

VCE(sat) = f(IC) = VCE0 + rCE · IC

这就是说，在对于饱和电压曲线的计算近似为二极管的导通曲线。图片3.3.5 显示VCE0和rCE 的定义：rCE 的就是连接两点直线的斜率，这两点是在电流为25％ICnom和ICnom时的VCE（sat）。 VCE0 是这条线与轴线相交时的电压值。相关参数：集电极电流IC，栅极-发射极电压VGE，芯片的温度，如温度Tj =25°C/150°C。

电流IG(AV) = QG · fs，（fs：开关频率），通过QG和控制信号可以确定输出电流平均值IG（AV）。