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内部栅极电阻

内部栅极电阻RGint
相关参数:芯片温度Tj = 25°C (RGint 是同温度有关。)为了防止并联芯片之间的振荡,现在许多IGBT 集成芯片包含了栅极电阻。表3.3.1 给出了IGBT4 芯片的电阻值。
表3.3.1 在IGBT4 芯片上的栅极电阻(Infineon)
IGBT 芯片并联构成的IGBT 模块的总内阻也是由各个芯片内部栅极电阻RGint 并联构成的。当要选择一个较低的栅极电阻也就是较大的栅极峰值电流的开关时,必须要考虑数据文件给出的外部栅极电阻RGon,RGoff 和RGint 的总和。
开关时间td(on), tr, td(off), tf 和开关损耗Eon, Eoff
相关参数:工作电压VCC,集电极电流IC,控制电压VGG+ ,VGG-(或VGE),外部栅极电阻RGon,RGoff,集电极电流上升率开通时:di/dton ,关断时:di/dtoff,芯片温度Tj(开关时间和开关损耗随温度升高而增加)。
值得注意的是,在实际工作中开关时间、电流及电压波形和开关损耗都受到模块内部的感应电容、感应电感和栅极和集电极电阻的影响。在实际应用中,因为实际条件明显偏离测量条件(例如,马达线路的容性负载,在VGG(off)= 0),所以,数据文件只能作为一个粗略的选择。在最后的电路环境中的测量,对保证电路安全可靠时至关重要的。
IGBT 数据文件给出的开关数据都是在带感性阻抗的负载,根据如图3.3.7a 所示测量电路测量的结果。负载的时间常数L/ R 大于开关频率的周期T= 1 / f,因此,在负载电感中总是有电流。当IGBT 关断时,电流流过IGBT 续流二极管,当其开通时,换流流入IGBT,当其关断时,换流流回续流二极管(硬开关)。开关时间是指的栅极-发射极电压和集电极电流的开通和关断时间,见第2.4.2.2 章节的解释。


开通延迟时间td(on)是从10%栅极-发射极电压最终值VGE 时刻到集电极电流到10%的负载电流IL的时间间隔。在随后的上升时间tr 是指集电极电流IC 从10%至90%的负载电流所用的时间。它们的时间总和为开通时间ton。
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