IGBT 的热阻

热阻Rth（j-c）和Rth（j-s）是取决于每个开关芯片面积和DCB 陶瓷板导热特性。除此之外Rth（j-s）还取决于模块和散热器之间导热层的厚度和导热性能、散热器的体面积和压紧螺钉的扭矩。对于一个固定功耗PT的IGBT 模块（不管并联的芯片数量），它的热阻温差 T 可以表示为：芯片 –底板（带底板模块）：  T（j-c）= Tj - Tc = PT · Rth（j-c）/ IGBT 开关芯片 -散热器（不含底座模块）：  T（j-s） = Tj - Ts = PT · Rth（j-s）/ IGBT 开关当数据文件是建立在一个内部有温度传感器模块测量的温度基础上，必须考虑到它同芯片温度Tj 和外壳温度Tc（带底板模块）以及或散热片温度Ts（无底板模块）的温差。热模型可参看第3.6.1.3 章节中的图3.6.9。