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混合集成反向二极管(续流二极管)额定值

混合集成反向二极管(续流二极管)额定值
反向二极管的正向通态压降VF=VEC
它是集电极-发射极的反向压降,相关参数:VGE = 0V 时的正向电流IF,芯片温度Tj,在芯片或终端层面测量。在图3.3.12 给出了导通曲线。在额定电流范围,随着温度的变化,引起电压VF的变量从负到正的变化
反向二极管正向导通特性(CAL 二极管)
反向二极管的门限电压VF0,等效电阻rF
为了计算反向二极管的导通功耗,数据文件给出了等效直线,它利用VF0 和rF 定义了
“ IGBT 的特征曲线”。
VF = f(IF) = VF0 + rF · IF
其中:VGE = 0V,导通电流IF,芯片温度Tj,在芯片和端口测试。

反向二极管的反向电流峰值IRRM
它是在二极管从导通状态(参数IF)到反向截止状态电流的峰值,见图2.3.8 及相关解释。对二极管的动态值IRMM,Qrr 和Err 的相关参数:工作电压VCC,二极管电流IF,控制电压VGG(或VGE),在开通时二极管电流的变化率-diF/dt = 集电极电流上升率dic/dt,芯片温度Tj。

反向二极管结层延迟电荷Qrr
当二极管从导通转换到截止时,二极管的电流回路也发生改变,所以,二极管结层的电荷也会从二极管流出到外围回路。这个流出的电荷总量就是结层延迟电荷Qrr。它同切换前的电流IF 以及切换后的电流的变化-diF/dt 陡度和结层温度有关,Qrr 受温度影响很大(参看第2.3 章节的图2.3.9)。
反向二极管的关断能耗Err
在数据文件中给出了“典型的开通、关断能耗作Eon, Eoff, Err 为集电极电流IC 的函数曲线图表”,并给出了在典型工作点下关断能耗Err 的额定值。它乘以频率f 就是反向二极管或者续流二极管的关断功耗: Poff = f · Err。
反向二极管的热阻Rth(j-c) 和 Rth(j-s)
这里可以引用IGBT 的热阻Rth(j-c) 和 Rth(j-s) 的内容,只要用PD 代替PT即可。当数据文件是建立在一个内部有温度传感器模块测量的温度基础上,必须考虑到它同芯片温度Tj 和外壳温度Tc(带底板模块)以及或散热片温度Ts(无底板模块)的温差。热模型可参看第3.6.1.3 章节中的图3.6.9。
 
 

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