模块结构的额定值

集电极-发射极寄生电感LCE

它是从顶部的集电极到底部的发射极的电感总和，它是通过一个开关过程电压降测量出来的。图3.3.13 上寄生电感LC 和LE 已经表示出它们的连接端口。

寄生终端欧姆电阻RCC’+EE’

因为数据文件给出的饱和电压VCE（SAT）都是指芯片的技术值（见条件说明），所以要计算模块的饱和电压必须要分别计算内部模块（连接线，端子，...）的电压降，也就是电阻上的压降。半桥式模块所有的分电阻在数据文件上被归纳成端口电阻RCC’+EE’。在图3.3.13 的寄生电阻同样被归纳为端口电阻。

IGBT 模块的热阻Rth（C - S）

对于带底板模块的热阻Rth（C - S），它描述了从模块底板（下标c）到散热器（下标s，参见图3.3.10）的热传导过程。IGBT 模块不论是单个还是多组带续流二极管的IGBT开关，它标出了静态散热特性，这个热阻的大小同散热器和底板的表面积、模块连接散热器的导热层的特性和厚度、冷却器的散热表面积和固定螺钉的力矩都有关系。壳体温度Tc 和冷却器温度Ts 的温差为 Tc-s，当模块中的IGBT 和二极管在给定的功耗时，可以得出： Tc-s= Tc –Ts = N PV · Rth(c-s)

至于不带底板的模块（SEMITOP，SKiiP，SKiM，MiniSKiiP），我们不能区分Rth（j-c）和Rth（c-s），在这里只能对IGBT 开关以及续流二极管（所有芯片的并联组合）给出了热阻Rth（j-s）（参见图3.3.10）。当数据文件是建立在一个内部有温度传感器模块测量的温度基础上，必须考虑到它同芯片温度Tj 和外壳温度Tc（带底板模块）以及或散热片温度Ts（无底板模块）的温差。

IGBT的热阻抗Zth（j-c）和Zth（j-c）I和反向二极管的热阻抗Zth（j-c）d除了热阻我们还通过等效电路（图3.3.14）来了解动态传热特性的热阻抗。在数据文件中可能给出热阻抗Zth 关于参数Ri 和τi 以及到3 或4 个时间常数的数值，或给出图表曲线

并联的IGBT 或二极管芯片被认为是一个元器件。对无底板模块必须给出每个IGBT 的特征值Zth（j-c）， Zth（j-s）I和每个二极管的Zth（j-s）D。当数据文件是建立在一个内部有温度传感器模块测量的温度基础上，必须考虑到它同芯片温度Tj 和外壳温度Tc（带底板模块）以及或散热片温度Ts（无底板模块）的温差。

机械额定值Ma，Mt，w

在数据文件中给出：

扭矩Ma，固定螺钉的扭矩（最小和最大值）

扭矩Mt，固定端口的扭矩（最小和最大值）

重量w，模块的重量。

内部温度传感器的额定值 Rts，R100，B100/125，和允许误差

赛米控公司生产的不同产品系列都含有温度传感器（SEMiX，MiniSKiiP，SKiiP，SEMITOP，SKiM），它是被安置在芯片附近的DCB 基板上。这些传感器根据它们不同的位置，给出不同结果，比如，温度接近基板温度（含底座板模块），以及接近散热器温度（不含底座板模块）等。不同的产品系列使用了不同的材料，根据材料的温度系数是PTC（正温度系数）或NTC（负温度系数）来决定热阻是随着温度的上升而上升还是下降。在数据文件中温度传感器给出的热阻Rts 或R100 是在温度为25°C 和100°C 的条件下，在100°C 时的测量误差通过系数B100/125 来确定。详细的论述见第2.6 章节。

3.3.3 曲线图

在数据文件会出现一些曲线图，本章将给出一些IGBT 资料图表，通常它会在一般的IGBT 开关或续流二极管电路中用到。并不是这里讨论的所有图表都会在数据文件中给出。如果一个图表会在其他章节中被详细讨论，我们会给出提示。

[图1] 带RCC’+EE’的典型的正向输出特性曲线IC=f（VCE）

在温度Tj =25°C 和125°C/150°C 时，饱和区输出特性曲线，VGE 作为一个参数（图3.3.15）。我们可以明显看出，集电极-发射极饱和电压VCE（SAT）的正向温度系数并随着发射极电压VGE 的升高而减少。与表格数据不同的是这里的电压差是模块连接端口的值，即VCE（sat）的值包括寄生电阻RCC’+EE’的电压差。

正向电压的VCE（sat）在从小电流开始一直是正温度系数。

[图2]集电极电流同外壳温度的关系

当壳体温度同数据文件要求的不同时，图3.3.16 给出了集电极直流电流的降幅（没有额外的开关损耗）。在数据文件上给出在壳体温度25°C 或80°C 时，集电极电流IC。当Tc 大于25°C 时，IC = (Tj(max) – Tc) / Rth(j-c) · VCE(sat)，当Tc 小于25°C 时，它保持数据文件给出的集电极电流的极限值。

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