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典型的开通或关断能耗

典型的开通或关断能耗Eon, Eoff 和 Err 同集电极电流Ic的关系
当IGBT 在典型的高负载工作点并测试电路加载欧姆感应负载时,图3.3.17 给出了IGBT 开通和关断的能耗Eon, Eoff 和反向二极管作为续流二极管的能耗Err 同集电极电流Ic 的关系。通过乘以开关频率f 就能得到开关的功耗值。
开通或关断能耗Eon, Eoff 和 Err 同集电极电流Ic 的关系
典型的开通或关断能耗Eon, Eoff 和 Err 同外接栅极电阻RG (RGon, RGoff)的关系当IGBT 在典型的高负载工作点并测试电路加载欧姆感应负载时,对于不同的栅极电阻RG,图3.3.18 给出了IGBT 开通和关断的能耗Eon, Eoff 和反向二极管作为续流二极管的能耗Err 同栅极电阻的关系。通过乘以开关频率f 就能得到开关的功耗值。
IGBT 和续流二极管的开通和关断能耗同栅极电阻的关系
[图5] 典型的传输特性曲线IC=f(VGE)
图3.3.19 描述了IGBT 在主动区,在VCE = 20V(线性工作区)时的传输特性。集电极电流同栅极电压有关:IC= gfs · (VGE -VGE(th))
IGBT 的转移特性
 

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