周期关断的最大安全工作区（RBSOA）

在周期关闭的IGBT 能够在模块温度达到Tj（max）之前，在一定的控制信号下及VCE（在芯片上）达到VCES 的高度值（寄生电感和控制条件的影响，见第5.4 章节及第5.6章节）时，硬性地关断电流ICpuls= ICRM。在许多数据文件中给出ICRM= 2 ×ICnom，它是对应以前的极限值ICM。

对于目前使用的赛米控公司生产的IGBT4 模块芯片（T4，E4 类），电流可以达到3倍，ICRM = 3 X ICnom。在给定的工作点和较高的换流电压时，并不是所有关断都是不会超过开关过载电压VCES。研究表明，在周期关断如此大的电流时，它在进入饱和区之前，随着电流的快速上升就会带来功耗，使芯片变热。基于这些原因，赛米控公司建议仅在特殊情况下和采取了特殊措施下，例如，降低了换流电压，主动电压钳位，很慢的关断等，否则，保持同前一代的模块的同样的最大允许电流：2 倍的ICnom。在半导体设计中必须考虑到，在周期重复时功耗还会提高。IGBT 在周期关断的最大安全工作范围如图3.3.28 所示。