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功率模块MOSFET 的正向极限值

漏极-源极电压VDSS
当栅极-源极回路短路时,MOSFET 功率模块允许的最大漏极和源极之间的电压。相关参数:壳体体温,Tc= 25°C,对无地板模块,散热片温度Ts= 25°C 。由于雪崩击穿电压与温度的关系,最大漏源电压随温度升高而降低。但在所有情况下,工作电压VDD 和开关的过载电压 VDS = Lσ · diD/ dt 的总和不能超过电压VDSS的值(Lσ :在换流电路中的寄生电感的总和)
栅极-源极电压VGSS
它是MOSFET 功率模块允许的最高栅极-源极电压值。相关参数:壳体温度Tc= 25°C。漏极电流ID当该芯片达到最大允许温度时,通过漏极允许的最大连续直流电流。相关参数:壳体温度Tc= 25°C/80°C, 对无底板模块,散热片温度Ts=25°C/80°C ,对焊接在PCB 板上的模块(SEMITOP)还有连接端口的PCB 板最大温度,芯片温度Tj= Tj(max)。
带底板模块的ID 为:
ID
2 = Ptot(max)/RDS(on) 其中 Ptot(max) = (Tj(max) – Tc)/Rth(j-c),
不带底板模块的ID 为:
ID
2 = Ptot(max)/RDS(on) 其中 Ptot(max) = (Tj(max) – Ts)/Rth(j-s)。
由于ID 是一个纯粹的静态的最高值,所以在开关操作很少使用。周期漏极电流的峰值IDM
它是在脉冲工作模式时,最大允许的漏极电流峰值。相关参数:脉冲宽度tp,壳体温度Tc= 25°C 或80°C 以及脉冲工作比率。
工作温度Tj和范围Tj(min),Tj(max)
它给出了MOSFET 芯片工作允许的温度范围。在持续工作时,建议芯片温度要保持低于Tj(max)最小25 K 的安全范围。

 反向二极管的极限值(MOSFET 功率模块在反向工作状态)
反向二极管的正向导通电流(反向的漏极直流电流)IF = -ID它是通过漏极反向直流电流最大的允许值,它的极限值和相关参数同正向工作时完全相同。
IFM的周期峰值正向电流=反向二极管的导通电流-IDM
它是在脉冲工作模式时,最大允许的漏极电流峰值。相关参数:与正向的数据完全相同。
工作温度Tj和范围Tj(min),Tj(max)
它给出了反向二极管工作允许的温度范围。在持续工作时,建议芯片温度要保持低于Tj(max)最小25 K 的安全范围。它是极限值和相关参数与正向工作的数据完全相同。
3.4.1.3 模块结构的极限值
存储温度及范围Tstg; Tstg(min)和 Tstg(max)它是模块没加电的情况下,存储和运输的温度范围。连接终端的焊接温度Tsol(用于需焊接连接的终端模块)模块焊接到PCB 板上允许的最高焊接温度。相关参数:焊接时间,见第6.3.4 章节的安装说明。

绝缘层测试电压Visol
它是测试绝缘层性能时,允许交流电压的有效值(交流50 赫兹)。相关参数:测试周期(1 分钟或1 秒)

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