MOSFET 功率模块的额定值

漏极-源极击穿的电压V（BR）DSS 值

当栅极-源极回路短路时(VGS = 0 V)，MOSFET 功率模块漏极和源极之间的击穿电压值。相关参数：漏极截止电流ID，壳体体温，Tc= 25°C。

栅极-源极门限电压值VGS（th）

它是栅极-源极之间的电压值，可以超过这个电压值开关导通。相关参数：漏极-源极电压VDS= VGS，漏（截止）电流ID，壳体体温，Tc= 25°C。

零栅压漏极电流IDSS

它是当栅源间的电压为零（VGS=0）以及漏源电压为最大值VDS 时，漏极源极间的截止

电流。相关参数：芯片温度，例如 Tj=25 和125°C。当温度从25°C 上升到125°C 时，

IDSS 增加3 到6 倍。

栅源漏电流IGSS

它是当漏源电压为零(VDS=0）以及栅源电压为最大值VGS 时，栅极源极间的漏电流。

相参数：栅源电压VGS = ±20 V。

漏源通态电阻RDS（on）

在确定的栅极电压VDS 和漏极电流ID（额定值）下，一个完全由栅极控制的MOSFET的通态电阻为漏源电压VDS 的增量与漏极电流ID 的增量之比。在这一导通状态下，VDS与ID 成比例关系。大信号的通态电压特性适用于VDS（on）=RDS（on）·ID。相关参数：栅源电压VGS = 20V，漏电流ID（额定值），芯片温度 Tj=25 和125°C（RDS(on)随温度增加很快！）。

芯片和壳体之间的电容CCHC

它是在小信号及栅源短路时，MOSFET 芯片和壳体底板之间感应电容。相关参数：漏源电压VDS，测量频率f= 1 MHz 以及壳体温度Tc= 25°C 。

输入电容Ciss，输出电容Coss，反馈电容（米勒电容）Crss

同IGBT 的定义相同，参见第3.3.2 章节。

漏源极寄生电感LDS

漏极和源极之间的感应电感，参见第3.3.2 章节。相关参数：漏源直流电压VDS，壳体温度Tc= 25°C。

开关时间td（on)，tr，td（off），tf

在数据文件中给出的MOSFET 功率开关时间参数，不同于IGBT 的是在纯电阻负载的测试电路，如图3.4.3，测试的结果。开关时间的定义，参见图3.4.3b）和第2.4.3.2 章节中的图2.4.19，按照栅源电压以及开关中电流电压的物理过程来定义的。相关参数：工作电压VDD，漏电流ID，控制电压VGG+ ，VGG-（以及VGS），栅极外部电阻RGon，RGoff，在关断时漏电流变化斜率+diD/ dt 及-diD/dt 闭和芯片温度Tj（开关时间和开关损耗随温度而增加）

考虑的是，在实际工作中开关时间、电流及电压波形和开关损耗都受到模块内部的感应电容、感应电感和栅极和集电极电阻的影响。在实际应用中，因为实际条件明显偏离测量条件（例如，马达线路的容性负载，在VGG（off）= 0），所以，数据文件只能作为一个粗略的选择。在最后的电路环境中的测量，对保证电路安全可靠时至关重要的。

开通延迟时间td（on）是从10％栅源电压最终值VGE 时刻到漏源电压VDS 下降到90％的工作电压VDD的时间间隔。在随后的上升时间tr 是指漏源电压VDS 从90％至10％的工作电压VDD的时间间隔。它们的时间总和为开通时间ton。关断延迟时间td（off）是从90％栅源电压的最终值VGS 时刻到漏源电压VDS 到10％的工作电压VDD 的时间间隔。

下降时间tf 是指漏源电压VDS 从10％上升至90％的工作电压VDD 所用的时间。关断延迟时间td（off）同下降时间tf的总和为关断时间toff。

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