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典型的漏源击穿电压同温度的关系

[图7]典型的漏源击穿电压同温度的关系
在图3.4.10 中,MOSFET 模块的漏源击穿电压V(BR)DSS 同温度呈现线性增长。由于在数据文件中给出的极限值是在温度Tj = 25°C 时的值,所以当温度低于25°C 时,必须考虑到漏源击穿电压的下降。
漏源击穿电压同温度的关系
图8] 漏源电压的允许降幅同漏极电流下降率的关系缩短关断时间(通过增加-diD/dt)会使模块内部的感应电感(端口,连接处,...)产生的电压浪涌幅度增高,它可能会超过工作电压VDD,MOSFET 模块必须保证减少浪涌幅度(参见第5.1.1 章节)。图3.4.11 给出了它们的关系:VDD = f(-diD/dt ≈ ID/tf)。
漏源电压的允许降幅同漏极电流下降率的关系

 

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