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内部电容同漏源电压的关系
在第2.4 章节中我们详细讨论了MOSFET 模块内部的感应电容。在数据文件(参见参数/测量条件)和图3.4.12 给出了关断的MOSFET 的电容和电压关系,它对功率开关的影响不大,后面的图3.4.13 能做进一步的解释。
[图10] 典型栅极电荷曲线图VGS=f(QG)
图3.3.20 显示了在工作电压VDS 时,栅源电压VGS 作为栅极电荷QG 的函数曲线。栅极电荷曲线包含了从关断状态,VGS = 0V,到完全开通,VGS 为最大极限值的全部范围。通过这个曲线图我们可以了解到,为了使MOSFET 从截至状态到饱和状态需要的电荷量。
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