门限电压同温度的关系

门限电压VGS（th）随着温度Tj 的增加线性下降。门限电压在-50°C 到+150°C 的范围内，温度系数约为-10mV/ K。这是因为MOSFET 功率模块（平行连接的芯片，每个芯片由多个单元组成）不允许在主动区工作，这样就抵消了因为VGS（th）负温度系数而带来的芯片之间的不均衡的电流分布的影响。