IGBT模块参数详解四-二极管参数(2)

(6) 二极管反向恢复特性
当二极管处于导通状态时，p-n^-结正偏，如下图所示。空穴注入n^-区成为少数载流子，并最终与n区的电子复合。在二极管转为反向阻断之前，n^-区储存的少子必须通过主动或被动复合方式减少，两种行为同时进行，主动方式消除的少子电荷被称为反向恢复电荷。在半桥电路中，此过程会造成另一边的IGBT在开通转换时产生电流过冲，从而增加导通损耗。
一个发射极控制的软恢复二极管在关断转换时的电流电压波形如下图所示 反向恢复电荷为 反向恢复损耗可以通过计算单个脉冲的恢复能量计算，见下式 trr：反向恢复时间，感性负荷下，续流二极管的电流从正向向反向转换时，反向恢复电流流过的时间。是指二极管从其两端施加正向电压突然转为施加反向电压时开始，至二极管进入反向阻断状态，这段过渡过程的时间。
Qrr：反向恢复电荷，二极管反向恢复电流的时间积分。
Err/Erec：反向恢复损耗，开通时，时间从二极管正向电流过零点开始，到反向恢复电流从峰值降到再次过零点的时间点为止，反向恢复电流和集电极-发射极电压乘积的时间积分值。 二极管的反向恢复特性受到IGBT导通di/dt、Ic、Tj的影响很大。Irm及Qr是测试的典型值，Erec可用来计算二极管开关损耗。 为了给出应用参考的规定开关损耗，规格书中标注的单个二极管关断脉冲的损耗是二极管导通电流及门极电阻的函数，如下图所示，门极电阻的变化表征着换流速度的变化。 Reverse recovery energy per pulse as a function of diode conducting current and gate resistance
（7）二极管安全工作区SOA
高压模块除了限定峰值电流及电压，还会规定峰值功率及SOA，瞬态峰值功率永远不要超过SOA图中限定的最大值。