电力电子器件及技术综述(2)

今天的电力半导体器件： 电力半导体器件的发展历史：
1948年：Bardeen和Brattain在贝尔实验室发明了三极管。
1952年：Hall发明了功率整流器。
1956年：Moll等人发明了晶闸管。
1961年：门极可关断晶闸管Gate Turn-Off Thyristor (GTO)。
60年代：大功率三极管Power BJT。
70年代：金属氧化物半导体门极场效应三极管MOSFET。
1983年：Baliga和Temple发明了IGBT（当时叫IGR或COMFET）。
90年代至今：IGBT新技术，Trench Gate，Soft-Punch-Through (SPT)，Field-Stop (FS)，Light-Punch-Through (LPT)。
电力半导体器件的性能： PN结——二极管： BJT Operation——三极管： Tyristor Latch-Up——晶闸管： 晶闸管： MOSFET Operation——MOS管： GTO、IGCT、SGTO： IGBT结构： IGBT封装： IGBT结构：