SiC模块的特征与电路构成

SiC 模块内置的功率半导体元件全部由SiC构成，与Si(硅)材质的IGBT模块相比，可大幅降低开关损耗。 内置SiC-SBD、SiC-MOSFET，与传统的Si-IGBT相比，在100KHｚ以上的高频环境下工作成为可能。
4.1 SiC 模块的特征
现在，针对大电流的功率模块中广泛应用的主要是由Si 的IGBT 和FRD 组成的IGBT 模块。ROHM在世界上首次开始推出搭载了SiC‐MOSFET 和SiC‐SBD 的功率模块。由IGBT 的尾电流和FRD 的恢复电流引起的较大的开关损耗，通过切换为SiC 功率模块可以明显地减少，因此具有以下效果：
1. 开关损耗的降低，可以带来电源效率的改善和散热部件的简化（例：散热片的小型化、水冷/强制风冷的自然风冷化）
2. 工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）
主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。文章来源：http://www.igbt8.com/js/157.html
4.2 电路构成
现在量产中的SiC 功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1 类型的模块，分为由SiC MOSFET+ SiC SBD 构成的类型和只由SiC MOSFET 构成的类型这两种，请根据用途进行选择。 模块外观如下图： SiC 功率模块电路图（半桥电路）
■SiC‐MOSFET + SiC‐SBD 组成 ■SiC‐MOSFET 组成