SiC模块与IGBT模块的开关损耗比较

以下展示的是不同三家公司已经产品化的最新（2012 年时）的1200V/100A 等级2in1 结构的IGBT模块和SiC 模块的比较结果。
4.4.1 总开关损耗的比较
如果选择了合适的门极电阻，SiC 功率模块的总开关损耗（Eon + Eoff + Err）能够比损耗最小的IGBT模块降低85％。 因此，SiC 模块可以在以往的IGBT 模块无法达到的50KHz 以上驱动，也可以使 电抗器等被动器件小型化。而且，在通常的IGBT 模块中，由于存在由开关损耗引起的发热问题，只能使用额定电流的一半左右的电流工作，但是，SiC 模块的开关损耗很小，所以在高频驱动时也不用取大幅度的电流降额就可以使用。也就是说，SiC 功率模块可以替换额定电流更大的IGBT模块。文章来源：http://www.igbt8.com/js/173.html 4.4.2 恢复损耗（Err）的比较
IGBT 模块中的FRD 的峰值反向恢复电流Irr、反向恢复时间trr 很大，所以产生较大的损耗，而SiC‐SBD 的Irr、trr 非常小，损耗值几乎可以忽略不计。 4.4.3 Turn‐on 损耗（Eon）的比较
回流臂上产生的恢复电流贯通到相对一侧，从而使开关器件的Turn‐on 损耗增大。与恢复损耗一样，二极管的恢复越快，SiC 功率模块的Turn‐on 损耗越小。而且外部门极电阻越小，损耗越小。 4.4.4 Turn‐off 损耗（Eoff）的比较
IGBT 的Turn‐off 损耗是由尾电流引起的，所以对门极电阻的依赖性不是特别明显，一般都很大。而SiC‐MOSFET 在原理上不存在尾电流，所以可以超快速、低损耗地进行开关动作。另外，外部门极电阻阻值越低，损耗越小。转载请注明出处：http://www.igbt8.com/