SiC‐SBD 的可靠性

5.1 dV/dt 破坏、 dI/dt 破坏
当施加较大的dV/dt 时，SiC‐SBD 的周边结构就会被破坏，这种破坏模式已经在其他公司的以往产品中得到印证，但是根据目前为止的调查，ROHM 的SBD 即使在50kV/us 左右的状态下动作也不会发生这种破坏模式。文章来源：http://www.igbt8.com/
另外，Si‐FRD 在di/dt 较大的情况下，存在因恢复电流Irr 变大而电流集中从而导致破坏的破坏模式。而SiC‐SBD 的恢复电流非常小，所以难以发生这种破坏模式。
5.2 SiC‐SBD 的可靠性测试结果

根据规格书中记载的电气特性来进行故障判定。
Failure criteria: According to the electrical characteristics specified by the specification.
关于可焊性测试，判定标准是焊料覆盖面积≥95%。
Regarding solderability test, failure criteria is 95% or more area covered with solder.
样品标准：采用可靠性水平90%，故障失效水平λ1=10%，C=0的判定，根据MIL-STD-19500的指数分布型计数一次抽样表，采用22个样本。