SiC功率模块的的使用方法和可靠性

7.1 浪涌电压的对策

由于SiC模块开关速度快、对应大电流，因此会因为模块内部、或者周边接线的电感L，产生V = ‐L×dI/dt 的浪涌电压，某些情况下，还有可能超过额定电压。

为了抑制该情况的发生，与Si 模块一样，推荐以下几种对应措施。有时可能会影响开关，所以请检查好波形，再对实际电路进行调整。

・主电路和缓冲电路的接线，尽可能设计得粗、短，从而降低接线电感

・电容的安装位置设置在MOSFET 的附近，从而降低接线电感

・添加缓冲电路

・增大门极电阻，降低dI/dt
缓冲电路举例：
＜C缓冲电路＞＜RC 缓冲电路＞＜RCD 缓冲电路＞

7.2 误动作的对策

在半桥电路中，当上臂的MOSFET（M1）开启时，下臂的MOSFET（M2）的续流二极管（外置SBD 或者体二极管)中流通的正向电流反向恢复，同时M2 的漏・源极间的电位上升。此时产生的dV/dt 通过M2 的反馈电容Crss 而变成瞬态门极电流（I = Crss×dV/dt），该电流流过门极电阻，从而M2 的门极电位上升。当该电压大大超过门极阈值电压，则MOSFET（M2）误动作，从而使上下臂都短路。

由于SiC‐MOSFET 的阈值电压在Id= 几mA 的条件下定义，所以只有3V，比较低，但是如果要流通大电流，则门极电压需要8V 以上，非常大，所以实际上对于误操作的耐性与IGBT 没有太大的区别。但是，当在有可能发生误操作的使用环境中，与Si 功率模块一样，推荐以下的对应措施。有时可能会影响开关，所以请检查好波形，再进行调整。

・增大关断时的门极负偏压

・追加门极・源极间电容

・门极・源极间追加三极管（有源米勒钳位）

・增大门极电阻，降低开关速度

7.3 RBSOA（反向偏压安全工作区）

与IGBT 模块一样，SiC 功率模块的RBSOA (Reverse Bias Safe Operating Area：反向偏压安全工作区)覆盖了额定电流的2 倍×额定电压的整个范围。
7.4 SiC模块的可靠性测试结果

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