碳化硅(SiC)材料和器件的革命性

材料的发展应用是半导体产业的根基
第一代半导体材料    硅
第二代半导体材料    砷化镓
第三代半导代材料    宽禁带半导体主要有碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）
碳化硅和硅材料的性能对比： 碳化硅器件的性能特点： 碳化硅在装置应用上具有小型化、轻量化、抗辐射、抗干扰、高可靠等性能，达到了减积、减重、电磁对抗、抗高温的效果。转载请注明出处：www.igbt8.com
减积、减重 碳化硅材料的三大应用方向：

• 电力电子
• 微波通讯
• 紫外探测

碳化硅材料在电力电子方向的应用：