三菱电机地铁牵引用混合碳化硅HVIGBT

SiC(※1)半导体材料具有宽带隙、高饱和漂移速度、高热导率、高临界击穿电场等突出优点，特别适合制作大功率、高温、高压、抗辐射电子器件。与Si半导体相比，SiC功率元件可进一步实现小型化、低功耗及高效化。文章来源：http://www.igbt8.com/news/260.html

三菱电机株式会社已从2013年开始发售混合碳化硅HVIGBT(※2)。该产品采用新一代功率半导体材料SiC，以其更小的损耗、高结温和高可靠性等，非常适用于铁路车辆设备等。三菱电机于2012年2月起与东京地下铁株式会合作，在运营中的银座线01系列车辆上，搭载铁道车辆专用SiC逆变器裝置及改良型制动系统设备，并且进行实地测试。此项实测验证新搭载的设备比现有的01系列车辆设备可节省38.6%的能源。这也是全球首次运用铁道车辆专用SiC逆变器装置在运行中铁道车辆上的成功测试。
 
 混合碳化硅HVIGBT模块产品见列表

 

混合碳化硅HVIGBT模块的产品特点：
(1)  续流二极管使用SiC肖特基二极管，实现更小的反向恢复损耗；
(2)  采用CSTBTTM硅片技术，具有宽的安全工作区，杰出的短路鲁棒性，最优的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能；
(3)  与现有产品(※4)相比降低功率损耗约30%，有助于设备的高效率化，且与现有产品端子位置和外形尺寸等兼容；
(4)  适合铁路应用的高可靠性设计。
   
   
名词释义：
※1  SiC: Silicon Carbide：碳化硅
※2  HVIGBT：High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor：高压绝缘栅双极晶体管
※3  CSTBT：Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor：载流子存储式绝缘栅双极性晶体管
※4  本公司N系列IGBT 型号：CM1200DC-34N