英飞凌推出第五代1200V thinQ!碳化硅肖特基二极管

英飞凌科技股份公司推出第五代1200V thinQ!碳化硅肖特基二极管，进一步扩展了碳化硅产品阵容。新的1200V碳化硅二极管在工作温度范围内提供超低正向电压，其浪涌电流承受能力提高了一倍以上，并且具备卓越的散热性能。得益于这些特性，该产品可以在太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、三相SMPS（开关电源）和电机驱动等应用中大大提高效率，并且可靠运行。文章来源：http://www.igbt8.com/news/269.html

“第五代”碳化硅二极管采用了新的紧凑式芯片设计，将PN结设计融合到肖特基二极管单元场中。这种设计降低了芯片区的微分电阻。因此，二极管损耗比之上一代产品降低了多达30%，譬如在20 kHz频率上以满负荷工作的三相太阳能逆变器的前端升压级中。
英飞凌IGBT和碳化硅分立功率器件营销总监Roland Stele表示：“英飞凌致力于提供有助于客户最大限度提高其设计效率的产品，新的第五代碳化硅二极管实现了这一目标。由于降低了二极管损耗，该产品适用于范围更广的开关频率，同时，它具备更强的浪涌电流承受能力，可实现更高可靠性。最新一代英飞凌碳化硅肖特基二极管是朝着充分挖掘碳化硅材料潜力迈出的一大步。”