IGBT驱动参数评估二-关断栅极电阻RG

 3. IGBT关断特性
可以通过一些方法影响IGBT模块的关断行为，下面会详细讨论。为了便于比较，引用了一个测量基准。
3.1 IGBT驱动栅极电阻RG的变化
如图10，图11及图12所示，在关断期间，栅极电阻增加将会使整个关断行为延迟时间td，对电压尖峰、dv/dt及负载电流的di/dt没有明显的影响，关断损耗作为RG的函数对其的依赖性也相对较小。可以从Chart 2的模块手册相关曲线图得到相同的结论。转载请注明出处 http://www.igbt8.com
Max(C2): 15.42V, Max(C3): 94A, Max(C4): 488V Max(C2): 15.42V, Max(C3): 94A, Max(C4): 488V Max(C2): 15.42V, Max(C3): 94A, Max(C4): 488V Chart 1 summarizes the results. Reference point for td is the measurement with RG = 1.8Ω. VGE = ±15V, IC = 400A, VCE = 600V 3.1.1 关断过压
如图13所示，在关断过程，集电极-发射极间电压会超出应用在IGBT DC Link的电压一个ΔV，过压的原因是换流回路的杂散电感Lσ，由于IGBT开关时负载瞬态电流变化率di/dt在其上产生的感应电压。公式为ΔV = -Lσ x di/dt。载请注明出处 http://www.igbt8.com
ΔV = 105V, di = 63A, dt = 125ns ⇒ Lσ = 208nH