3.4
IGBT模块拖尾电流
在
IGBT关断期间,负载电流先快速下降,随后跟随一个或长或短的拖尾电流。起初的快速下降时由关断IGBT的MOSFET通道造成的,剩余的n-漂移区的载流子导致了拖尾电流。如图19、20、21所示,拖尾电流随着施加的DC-link电压降低而增加。转载请注明出处
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拖尾电流是IGBT软特性的关键因素,然而,长拖尾电流会增加关断损耗,因为,此时所有的集电极-发射极阻断电压被施加在两端。
Max(C2): 16.25V, Max(C3): 150A, Max(C4): 667V
Figure 19: Tail current during turn-off with VDC ≈ 500V
Max(C2): 16.25V, Max(C3): 148A, Max(C4): 442V
Figure 20: Tail current during turn-off with VDC ≈ 300V
Max(C2): 15.00V, Max(C3): 152A, Max(C4): 400V
Figure 21: Tail current during turn-off with VDC ≈ 250V