IGBT驱动参数评估十三-二极管开通(2)

6.2 门极-发射极电容CGE的变化
类似于门极电阻的变化，不同的IGBT关断门极-发射极电容CGE对二极管导通的影响只是体现在整体的切换事件延迟上，如图52,53及54所示。
Max(C2): 15.83V, Max(C3): 77A, Min(C4): -32V Max(C2): 15.42V, Max(C3): 75A, Min(C4): -34V Max(C2): 15.42V, Max(C3): 77A, Min(C4): -34V 6.3 低门极电压VGE,min的变化
关于二极管在开通时的转换行为，可以看出，IGBT驱动电压-8V或者0V对其影响没有差别，只是使整体的切换动作移位。如图55,56所示。文章来源：http://www.igbt8.com/qd/144.html
Max(C2): 15.83V, Max(C3): 73A, Min(C4): -32V Max(C2): 15.83V, Max(C3): 77A, Min(C4): -35V