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M57957L及M57958L集成厚膜IGBT驱动电路

  1. 内部结构及工作原理
M57957L和M57958L集成厚膜IGBT驱动电路均采用单列直插式标准8脚厚膜集成电路封装,其外形和引脚排列如下图所示。

M57957L的引脚名称,功能及用法见下表。

M57957L和M57958L的内部结构和工作原理如下图所示。由图4-10可知,M57957L和M57958L的内部集成有光电耦合器、接口及功放单元。其工作原理为:来自脉冲形成单元的驱动信号为高电平时,光电耦合器导通,接口电路把该信号整形后,再由功放级的两级NPN达林顿晶体管放大后输出,驱动IGBT模块导通;在驱动信号为低电平时,光电耦合器截止,此时接口电路输出亦为低电平,功放输出级PNP晶体管导通,给被驱动的IGBT栅极、发射极间施加反向电压,使被驱动功率IGBT模块恢复关断状态。

2.主要设计特点、极限参数、电性能参数及推荐工作条件
(1)主要设计特点
M57957L和M57958L的主要设计特点有:
①功耗较小,可以采用密集型的单列直插式厚膜电路封装。
②单电源工作,供电极为简化。
③外接串联电阻,可输入CMOS信号,输入信号与TTL电平兼容。
④内置高速光电耦合器,可隔离2500V、50Hz的交流电压。
(2)极限参数、电性能参数及推荐工作条件
M57957L和M57958L的极限参数见下表。

M57957L与M57958L的电性能参数完全相同,其部分电气性能参数见下表:

3.应用电路
M57957L和M57958L内部集成有可在输入与输出之间实现良好电气隔离的光电隔离器,所以可对被驱动的IGBT模块实现可靠的驱动。M57957L可用来直接驱动UCES = 600V系列的电流容量在200A以内的IGBT模块及UCES=1200V系列的电流容量在I00A以内的IGBT模块;而M57958L可用来直接驱动UCES=600V系列的电流容量在400A以内的IGBT模块及UCES= 1200V系列的电流容量在200A以内的IGBT模块。M57957L和M57958L的典型应用电路如下图所示。

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