IGBT模块的门极驱动

额定门极驱动电压：

门极驱动电压在±20V范围内施加超过此范围的电压时，门极-发射极间的氧化膜（SiO2）有可能发生绝缘破坏或导致可靠性下降。 开通-门极驱动电压：
开通-门极驱动电压标准为+15V。诸如12V、10V的低门极驱动电压会造成集电极损耗增加。6V时IGBT基本上不开通，此时集电极-发射极上施加电源电压。施加这样的低门极电压时，有可能由于过大的损耗导致元件损坏。 关断时门极反向偏置电压（－VGE）：

如果提高开通门极电压+VGE，开通速度会上升，开通损耗会下降。相反，开通时的噪声干扰会增加。同样，如果提高关断门极电压-VGE，关断速度会上升，关断损耗会下降。相反，关断时的浪

涌电压及噪声干扰会增加。+VGE、-VGE和下一项的RG都是影响开关速度的主要因素。 门极阻抗RG和开关特性： 门极电容：
输入电容：Cies = Cge + Cgc
Reverse Transfer 电容：Cres = Cgc
输出电容：Coes = Cce + Cgc 发射极门极反向偏置电压和门极-发射极之间的阻抗RGE：

● 尽量让门极配线远离主电路配线，并避免使两者平行。

● 交叉时，请以正交交叉。

● 不要将多根门极配线捆扎在一起。

● 追加共模扼流圈和铁氧体磁环也可达到一定的效果。 门极充电和驱动电流-功率：