IGBT驱动技术综述(2)

IGBT驱动技术要点：
门极电压 门极电阻 保护功能 与IGBT的连接
线路设计的几个原则
    IGBT栅极电压设置 注意：Vge最大允许值±20V IGBT栅极电压设置
栅极电压：关断电压-Vge或0V；
由于米勒电容对栅极的影响，使用0V关断电压时可能会产生误导通现象；
用-Vge（-5V…-15V)使IGBT关断更可靠，有利于防止误开通；
用0V关断，可考虑采用有源米勒箝位使关断更可靠。
注意：Vge规格-最大允许值±20V IGBT栅极电阻设置
开通电阻Rg,on对开通影响大
IGBT的电流尖峰（续流二极管的反向恢复电流）
 Rg,on ↑ ，IC,peak↓
开通能耗（Eon）
 Rg,on ↑ ，Eon ↑
dV/dt
 Rg,on ↑ ，dV/dt ↓ 关断电阻Rg,off对关断影响不大
dV/dt, VCE,peak
di/dt主要由芯片技术决定，Rg很大时才有影响
关断能耗（Eoff）
 Rg,off ↑ ，Eoff ↑ 不同Rg,off的关断波形 栅极电阻Rg是驱动中一个非常重要的部分，要综合考虑IGBT损耗/发热，死区时间，开关频率，波形要求等因素选取
功率计算（假设驱动功耗都消耗在Rg上）： Pg = △Vge×Qg×fsw×2 其中:△Vge= Vcc–Vss Qg = △Vge/30×QG QG:见规格书（-15V…+15V） fsw:开关频率