杂散电感对IGBT开关过程的影响(4)

3.3 发射极杂散电感和驱动电阻变动情况下的测量结果
正如前面提到的，因为测量点位置，测试平台上有三个杂散电感的效应没有被体现到测试结果中，但是其中发射极电感Le2 尤其具有明显影响，它通过驱动回路产生的效应甚至远远超过主回路。为验证分析，我们采用了类似调节Lp 的办法，人为在DUT 管脚上加入了导线来模拟不同数值的杂散电感。模拟情况如图6所示。 其中L1的情况可认为近似元件手册中标称的引线电感，约13nH，L2 则保留了发射极管脚，增加了微量电感，L3、L4 外接了较多导线，使用外部仪器粗略测量，L3 约40nH，L4 约80nH。应该指出的是这么大的Le2 并非有什么工程实践背景，只是为了验证测试和探索极限情况下的数据趋势。 从图 7 可以看到，在同样驱动条件下（驱动电阻51 欧姆），各不同Le2 得到不同的开关电压电流波形，其中电压波形从形状上差别不大（该图为比较形状绘制，没有采用同样的时间起点），电流波形差异明显，大的Le2 导致明显缓慢的电流上升/下降，而L1 与L2 的情况因为数值差异小，所以波形差异也很小。
图 8 列出了不同驱动条件下的开关损耗情况。与预计相吻合，发射极杂散电感对两种开关损耗都是增加的效应，因此三个图都呈现严格的单调递增特性。 图 8 不同驱动电阻与不同杂散电感下的开关损耗
4 结论
本文根据实际IGBT器件感性负载测试平台建立了杂散电感分布模型，从理论上分析了不同位置分布参数对不同种类开关指标的影响，并以对比性实验测试数据验证了分析结论。分析和测试表明，以上分布寄生参数的变动对测试结果会有大幅度影响，从而显著影响到测试结果的精度。并可以通过参照实际实验结果进行系统结构优化设计。。