IGBT模块的额定值和特性

如果施加超过额定值的负载。会立即损坏元件或降低元件的可靠性。请务必遵照下述额定值进行设计。

VCES：门极-发射极间处于短路状态时集电极-发射极之间的电压
VGES：集电极-发射极间处于短路状态时门极-发射极之间的电压

集电极电流：集电极上容许的最大直流或脉冲电流
集电极损耗：一个IGBT构成单元的最大集电极损耗。此模块由两个IGBT构成，该数值为各个IGBT的额定值。

结温：IGBT芯片可连续工作的温度范围
保存温度：在没有施加电负荷状态下，可存放或运送的温度范围

绝缘强度：所有电极全部处于短路状态时，可在电极-基板间施加的最大电压
安装扭矩：使用指定螺丝时的最大安装扭矩

电特性（一个IGBT构成单元） Tc=25℃

ICES：门极-发射极间处于短路状态时集电极-发射极之间的漏电电流
IGES：集电极-发射极间处于短路状态时门极-发射极之间的漏电电流

VCE(sat)：IGBT 通态损耗的尺度，与二极管的正向压降、SCR的导通压降、MOSFET的导通阻抗相对应。
VGE(th)：IGBT开始导通时的门极电压

Cies：门极-发射极之间的电容

开关时间的定义：

PDMB100B12 最大开关时间解析

超快恢复整流二极管的最大额定值和电特性（以一个二极管为单位） Tc=25℃

正向电流：内置超快恢复整流二极管上容许的最大直流或脉冲电流

正向电压：有指定正向电流流动时的内置二极管的正向压降
反向恢复时间：直至内置二极管恢复反向截止状态所需要的时间

反向恢复时间的定义

热特性

热阻：内置的各IGBT或二极管的热阻

外壳温度测量点：