MOSFET的开通和关断

开通：t2 到t3 时间段 (开通晶体管在主动区域)

随着续流二极管的关断，电压VDS 开始下降。到t3 时刻已接近通态压降V DS（on） =ID • RDS（on）。在t2 到t3 时间段中，漏极电流同栅极控制电压还保持转移率的关系，所以电压VGS 保持一个固定值。在电压VDS 下降过程中栅极电流IG 向米勒电容CDG充电，充电量为(QG3-QG2)。在t3 时刻时在基极的电荷量为QG3。经过换流全部负载电流IL流过MOSFET 时，续流二极管进入截止状态。因为续流二极管的延迟时间，在续流二极管进入截止时，MOSFET 的漏极电流iD 还会保持上升，使二极管的反向电流IRRM超过电流IL。这使二极管中的截止延迟电荷量Qrr 下降。（请参照第3.4.2 章节的解释和定义）

开通：t3 到t4 时间段 (欧姆区)

MOSFET 在t3 时刻被完全开通，它的工作点通过了主动区开始进入欧姆区。电压VGS同电流ID 不再通过转移率gfs 有联系。此时，栅极增加的电荷量(QGtot -QG3)使栅极电压VGS 进一步上升，只至达到VGG。