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MOSFET、IGBT、二极管和晶闸管的数据文件
在IEC60747“分立半导体”中已经描述了符号的概念含义和使用要求。但下面的标准给出了每个半导体结构的详细参数解释，数据参数的最低要求，以及检验和测试方法：
- IEC60747-1 一般概论（符号和术语）
- IEC60747-2 二极管
- IEC60747-3 晶闸管
- IEC60747-8 场效应晶体管
- IEC60747-9 IGBT
- IEC60747-15 隔离电源模块
电力半导体的其他重要的标准是：
- IEC60191-2 半导体器件的机械标准化，
第2 部分测量尺寸（标准封装外形图）
- DIN EN50178 电力系统的电子设备
（绝缘隔离的检测工艺，局部放电）
- IEC60664 低压电气设备的绝缘
（间隙和隔离距离）
- IEC60721 环境条件的分类
- IEC60068 环境试验（测试条件定义）
- IEC 60749 机械和气候环境试验方法
还有一些不是国际公认的标准和法规，但在某些场合被应用：
- UL94 试验塑料材料易燃性（对设备和器件中塑料材料可燃性试
验）
- UL508C 能源转换设施（电源转换设备）
- MIL - STD-750E 半导体元器件的测试方法（半导体器件测试方法）
符号和概念
电压：它使用两个极性来描述这之间的电压。当正电极端口到负极端口的电压为正，
例如：的V。
- C 集电极
- E 发射极
- G 栅极
- D 漏极
- S 源极
- K 阴极
- A 阳极
对于二极管不是用“AK”，而是用“F”代表正向（“正向”是从阳极电位同阴极电位的差）和“R”的表示反向电压（“反向” ，阴极电位和阳极电位的差）。对于晶体管的下标，除了两个字母外还可以用第三个字母表示连接状态，例如： VCES 是指
IGBT 的“栅极和发射极之间短路”。以下缩写字母允许被使用：
- S： 短路
- R： 指定电阻电路
- V： 指定的外部电压
- X： 指定电阻和外部电压
在字母下标的前面或后面还可以使用另外的字母来表示元器件的参数（如V（BR）DS 或
VGE(th) 或 VCEsat），有无括号和大小写均可，例如：
- (BR)： 击穿电压(“Break”)
- sat： 饱和电压 (“saturation”);
- (th)： 门限电压或开启电压 (“threshold”);
- clamp： 外部钳位电路限制电压。
电源电压下标符号表示电源连接端口，它用两个双写字母表示例如： VGG（栅极-发射极电流回路的电源电压），VCC，VDD。在字母下标的前面或后面还可以使用另外的字母来表示元器件的参数（如V（BR）DS 或
VGE(th) 或 VCEsat），有无括号和大小写均可，例如：
- (BR)： 击穿电压(“Break”)
- sat： 饱和电压 (“saturation”);
- (th)： 门限电压或开启电压 (“threshold”);
- clamp： 外部钳位电路限制电压。
电源电压下标符号表示电源连接端口，它用两个双写字母表示例如： VGG（栅极-发射
极电流回路的电源电压），VCC，VDD。
热量参数：温度总是用大写的 T 表示。最常用的下标有：
- j 截止层（结），老的参考书用“ vj” 表示
- c 外壳，这里是指散热底座
- s 散热板（片），老的参考书用“ h” 表示散热器
- r 参考点，通常指集成温度传感器
- a 环境，这里通常是指冷却液（水）的温度
温差以及热阻(Rth)或热阻抗（Zth）使用由连字符隔开的两个字母，表示在这两点之间
的值，例如， T(j-a)和Rth(c-s)。
机械参数：这些参数主要涉及元器件的组装。关键变量 M是螺钉连接和散热器安装时的扭矩，还有变量F 是连接端口同安装表面的作用力。
其他符号：对于一些在其他专业使用的术语和符号都可以被使用。有些使用括号表示
开关状态（on，开通）（off，关闭）。
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