IGBT极限值

在文件数据表中，按照IGBT 模块（IGBT，二极管，壳体，温度传感器等）的各个组成部分别给出它们的极限值。所有IGBT 和二极管的极限值都是在一个电路（分支）中给出的，它同电路（分支）含有多少晶体管模块以及是否并连接IGBT 和二极管芯片的数量无关。

周期集电极电流的峰值ICRM

它是集电极终端允许的脉冲电流峰值。IGBT 生产商在数据文件上给出的ICRM是集电极电流的峰值（集电极脉冲电流，被Tj（max）限制），它们在电路的总和要乘以并联的IGBT 芯片数。此峰值同脉冲的宽度无关，即使芯片的温度没有达到极限，这个电流的峰值也必须遵守，因为超过这个峰值会使芯片产生金属化和过早老化。在许多数据文件表将ICRM写成2 × ICnom，因此，它相当于以前的ICM极限值。对于目前使用的赛米控公司生产的IGBT4（T4，E4）模块芯片，ICRM =3 X Icnom。在给定工作点的高栅极电阻和较高的母线的电压，关断这么大的电流会产生过电压，并超过VCES。研究表明，当在芯片最热时周期关断这么大电流，会使芯片提前退出饱和区，而产生很大的功耗。正是因为这个原因，赛米控公司推荐，除了特殊情况和采取了特殊措施（如减少母线电压，主动钳位，很慢的关断过程），这个峰值同它的前一代模块在RBSOA 中一样，为2 · ICnom值。在有些措施必须考虑到更高的功耗，这尤其是在半导体设计时要注意的。