MOSFET 的热阻Rth(j-c) 和 Rth(j-s) 以及模块的热阻Rth(c-s)

热电阻在模块中描述了MOSFET 开关静态散热能力，它同开关并联的芯片的数量无关。通常情况下，多个MOSFET 开关排列在一个模块中，在这里讨论整个模块。图

3.3.10 显示了带底板模块(Case rated devices)和不带底板模块(Heatsink ratet devices)的不同模式。模块产生的功率损耗导致模块发热Tj = Ta + PV · N Rth 。Rth（j-c）表示从MOSFET 开关（下标j）到模块底板（下标c）的热传导阻力。在带底板模块中，Rth(c-s) 表示从MOSFET 开关的底板到散热器（下标s）的热传导阻力。至于不带底板的模块（SEMITOP）只有一个热阻是不可能的，在这里对MOSFET 开关分别给出开关芯片和散热器的热阻Rth(j-s)。

热阻Rth（j-c）和Rth（j-s）是取决于每个开关芯片面积和DCB 陶瓷板导热特性。除此之外Rth（j-s）及Rth(c-s)还取决于模块和散热器之间导热层的厚度和导热性能、散热器的体面积和压紧螺钉的扭矩。

对于一个固定功耗PV 的MOSFET 模块（不管并联的芯片数量），它的热阻温差 T 可以表示为：

芯片 –底板（带底板模块）： T（j-c）= Tj - Tc = PV · Rth（j-c）/每个MOSFET 开关

芯片 –散热器（带底板模块）： T（c-s）= Tc - Ts = PV · Rth（c-s）/每个模块

芯片 -散热器（不含底座模块）： T（j-s） = Tj - Ts = PV · Rth（j-s）/每个MOSFET 开关

3.4.2.2反向二极管额定值（反向功率MOSFET）

二极管的导通和开关特性对换流过程，例如，在桥电路中的续流二极管，有很重要的意义。正如在第2.4 章节所解释的，换流是双向的，始终通过开通或关断在回路中的MOSFET 和二极管（续流二极管）来进行，这个二极管可能是另一个MOSFET 的反向二极管。

基本参数为：短路栅源路径（电压VGS =0 V）时，反向二极管的导通电流IF，芯片温度Tj，以及动态的反向截止电压VR（=MOSFET 的工作电压VDD），二极管电流的衰减速率-diF/dt（开通MOSFET 的变化率）和外接的MOSFET 栅极电阻RG。

反向二极管的正向导通电压VF=VSD

在终端端口测量到的反向漏源电压降。

反向二极管的反向电流峰值IRRM

它是在二极管从导通状态（参数IF）到反向截止状态电流的峰值，见图2.3.8 及相关解释。对二极管的动态值IRMM，Qrr 和Err 的相关参数：工作电压VCC，二极管电流IF，控制电压VGS，在开通时二极管电流的变化率-diF/dt = 集电极电流上升率dic/dt，芯片温度Tj。

反向二极管结层延迟电荷Qrr

当二极管从导通转换到截止时，二极管的电流回路也发生改变，所以，二极管结层的电荷也会从二极管流出到外围回路。这个流出的电荷总量就是结层延迟电荷Qrr。它同切换前的电流IF 以及切换后电流的变化-diF/dt 陡度和结层温度有关，详细解释参看第2.3 章节的图2.3.8。Qrr 受温度影响很大（从25°C 到150°C 电荷从加倍到翻8 倍）。

反向恢复时间trr

它是反向二极管再切换后，通过电流的变化-diF/dt，从导通到截止稳定值所需的时间。详细解释参看第2.3 章节的图2.3.8。trr 同Qrr 和IRMM的关系如下：

trr ≈2 · Qrr / IRMMtrr 受温度影响很大（从25°C 到150°C 恢复trr 时间加倍）。

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