SiC 功率模块的开关特性

通过以下的电感负荷双脉冲测试对SiC 功率模块的开关特性进行评估。模块内部的寄生电感约为25nH，电路的寄生电感约为15nH。 4.3.1 漏极电流依赖性以及温度依赖性
受益于SBD（或者MOSFET 的体二极管）的快速恢复特性，SiC 功率模块的恢复损耗Err 基本为零。而且MOSFET 中不存在尾电流，所以与IGBT 相比，Eoff 也非常的小。Eon 和Eoff 基本上随电流呈比例增加的趋势（上升率取决于外部Rg）。Si‐FRD 的恢复电流和IGBT 的尾电流在高温下会增大，相对之下，由多数载流子器件构成的SiC 模块随温度变化产生的损耗变化非常小。由于在高温下阈值会降低，所以Eon 变小，而Eoff 有稍微变大的趋势。文章来源：http://www.igbt8.com/js/168.html 4.3.2 门极电阻依赖性
在外部门极电阻大的情况下，流向门极的充放电电流值变小，开关速度变慢。与此同时，Eon、Eoff 增大，从而有可能发挥不出它原本的性能，所以请尽量选择阻值低一些的门极电阻。 dV/dt、 dI/dt 针对外部门极电阻的依赖性如下图所示。如果降低外部门极电阻的阻值，则dV/dt、dI/dt 的值会增大。ROHM 的SiC 功率模块在各种各样的条件下都进行过实验，但是在目前的调查中
还没有发现过dV/dt 破坏、dI/dt 破坏的破坏模式。转载请注明出处：http://www.igbt8.com dV/dt、 dI/dt 针对外部门极电阻的依赖性如下图所示。如果降低外部门极电阻的阻值，则dV/dt、dI/dt 的值会增大。ROHM 的SiC 功率模块在各种各样的条件下都进行过实验，但是在目前的调查中
还没有发现过dV/dt 破坏、dI/dt 破坏的破坏模式。 4.3.3 门极偏压依赖性
SiC MOSFET 的Vgs 额定范围为‐6～+22V。推荐的驱动条件是Vgs(on)=18V、Vgs(off)=0V 或者负偏压使用情况下的‐3V～‐5V。Vgs(on)、Vgs(off)越大，门极的充放电越快，Eon、Eoff 越小。但是请在额定范围内使用。