损耗分析是为计算应用中的功率因数校正电路选择MOSFET的最佳品质(3)

图3显示的是关断时序的标准栅极电荷模型。在CCM模式下工作时，FPC MOSFET始终根据高电压VDC来接通或关断。开关损耗是VDC、IAC和开关时间TSWON与TSWOFF的函数。如参考资料1中所解释的那样，漏电压的预计上升时间（以蓝色显示）跨越由QQD表示的整个米勒平坦区。QSW是有效开关电荷，是QGS和QGD的组合。如果MOSFET是由有效恒定电流IGON和IGOFF驱动。



则总开关时间TSW现在可用等值栅极驱动电流IGEQ表示为：

其中

MOSFET数据表通常提供QGS和QGD，但并一定提供有效开关电荷QSW。对于低电压器件，QSW通常近似表示为：
图3. 关断和QSW定义

但是，该近似对高压MOSFET无效，原因在于其容值的大范围变化。高压超结MOSFET的典型容值变化如图4所示。在前100 V范围内，CRSS和COSS的变化幅度可达到100倍。

回到图3，根据常规低压栅极电荷模型预测的VDS上升以蓝色显示，而实际VDS看上去更像红色虚线。由阴影区表示的相应开关损耗，也显著小于使用整个米勒平坦区做出的估计。为匹配观察到的电压上升和下降时间，QSW可表示为：
图4. 超结MOSFET的容值变化